Półprzewodniki typu p są półprzewodnikami domieszkowanymi akceptorami tj. atomami które mają mniejszą wartościowość od atomów półprzewodnika samoistnego. Półprzewodniki typu p mają więc w swej budowie znacznie więcej dodatnich dziur, które zachowują się jak dodatni ładunek elementarny, niż elektronów.
Na rysunku przedstawiono budowę wewnętrzną czterowartościowego, krzemowego półprzewodnika domieszkowanego trójwartościowymi atomami glinu.
Atom glinu (Al), który jest w tym przypadku akceptorem, bardzo łatwo przyjmuje elektron z sąsiedniego atomu krzemu (Si), w wyniku tego w atomie krzemu powstaje wolne miejsce po elektronie, czyli tzw. dziura.
Powstające dziury mogą być zapełniane przez elektrony walencyjne sąsiednich atomów krzemu, co powoduje ich ruch wewnątrz półprzewodnika. Elektrony które są przyłączane przez atomy domieszek zapełniają tzw. poziom akceptorowy, który położony jest nieco wyżej niż pasmo walencyjne, gdyż są one słabiej związane w atomie domieszki. Elektrony te nie mogą uczestniczyć w przewodnictwie prądu elektrycznego.
Dodatnich dziur w półprzewodnikach typu p jest znacznie więcej niż elektronów, więc są one nazywane nośnikami większościowymi.