Półprzewodniki typu n są półprzewodnikami domieszkowanymi donorami tj. atomami które mają większą wartościowość od atomów półprzewodnika samoistnego. Półprzewodniki typu n mają więc w swojej budowie znacznie więcej elektronów niż dziur, czyli wolnych miejsc po elektronach.
Na rysunku przedstawiono budowę wewnętrzną czterowartościowego, germanowego półprzewodnika domieszkowanego pięciowartościowymi atomami fosforu.
Atom fosforu (P), który jest w tym przypadku donorem, bardzo łatwo dostarcza elektron do sąsiedniego atomu germanu (Ge). Nadmiarowy piąty elektron jest słabo związany z jądrem germanu i zajmuje tzw. poziom donorowy, który znajduje się tuż pod pasmem przewodnictwa, więc nawet niewielkie energie mogą spowodować jego przejście do pasma przewodnictwa, co skutkuje zmniejszeniem się oporu właściwego półprzewodnika (zwiększeniem się liczby nośników prądu).
Elektronów w półprzewodnikach typu n jest znacznie więcej niż dziur (dodatnich nośników prądu), więc są one nazywane nośnikami większościowymi.